Lleihau tensiwn arwyneb ac addasu graddiant tensiwn arwyneb i hyrwyddo lefelu unffurf cotio
Egwyddor graidd Asiant Lefelu yw lleihau tensiwn wyneb cotio ac addasu graddiant tensiwn arwyneb i hyrwyddo'r cotio i ffurfio ffilm cotio llyfn yn ystod y broses sychu. Mae'r mecanwaith gweithredu penodol fel a ganlyn:
Rheoliad Tensiwn Arwyneb:
Mae asiant lefelu (syrffactydd neu bolymer yn bennaf) yn lleihau tensiwn wyneb y system cotio, yn gwella gwlybaniaeth swbstrad, ac yn lleihau diffygion fel crebachu a thyllau pin a achosir gan densiwn lleol anwastad.
Yn benodol, gall asiant lefelu silicon leihau tensiwn arwyneb yn sylweddol (hyd at 20-24 mn/m) a dileu'r ffenomen croen oren a achosir gan Bernard Vortex.
Mecanwaith cydnawsedd a mudo wedi'i reoli:
Mae angen i asiant lefelu fod â "chydnawsedd rheoledig" â'r system cotio: ddim yn hollol gydnaws (fel arall ni all fudo i'r wyneb) na'i wahanu'n ormodol (fel arall bydd yn ffurfio diffygion agregu). Yn ddelfrydol, bydd asiant lefelu yn mudo i'r rhyngwyneb hylif/nwy mewn modd cyfeiriadol i ffurfio haen monomoleciwlaidd i leihau tensiwn arwyneb yn gyfartal.
Mae ymfudo yn dilyn yr "egwyddor ynni lleiaf": trylediad digymell o ardaloedd ynni uchel (y tu mewn i'r cotio) i ardaloedd ynni isel (arwyneb) i gydbwyso'r graddiant tensiwn arwyneb.
Leveling ffactorau hyrwyddo:
Po isaf yw'r gludedd, y mwyaf trwchus yw'r ffilm, a'r lleiaf yw'r graddiant tensiwn arwyneb, y mwyaf ffafriol i wella'r cyflymder lefelu. Mae asiantau lefelu yn cyflymu lledaeniad unffurf y cotio trwy leihau gludedd ac addasu'r graddiant tensiwn.